جذب و پاشندگی باریکه کاوشگر در نانوساختارهای چاه کوانتومی

پایان نامه
چکیده

در سال های اخیر بررسی انتشار فراسرعت و فروسرعت نور توجه زیادی را به خود جلب کرده است. نکته مهم در آزمایشات فراسرعت و فروسرعت نور توانایی کنترل خواص اپتیکی محیط به وسیله میدان های همدوس و دمش ناهمدوس است. پاسخ محیط نسبت به میدان اعمال شده جذب، پاشندگی و سرعت گروه را به دست می دهد. اثر شدت میدان کنترل کننده، فاز نسبی میدان های اعمال شده و دمش ناهمدوس بر انتشار باریکه کاوشگر در نتیجه جذب و پاشندگی آن اثرگذار است. به تازگی مطالعه ی رفتار خطی و غیرخطی مواد نیم رسانا به دلیل دارا بودن زمان واهلش سریع، پاسخ نوری غیرخطی بزرگ و انعطاف پذیری بالا مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته است. نیم رساناهای در ابعاد پایین مانند چاه های کوانتومی کاربرد بسیاری در ادوات الکترونیکی دارند. در این پایان نامه قابلیت کنترل خواص اپتیکی محیط توسط پارامترهای کنترلی از جمله فاز نسبی میدان های اعمال شده، فرکانس رابی میدان های همدوس و دمش ناهمدوس بر انتشار فروسرعت و فراسرعت نور در یک چاه کوانتومی دوگانه مورد مطالعه قرار گرفته است. با حل معادله ماتریس چگالی پاسخ محیط به میدان های اعمال شده به دست می آید. نتایج نشان می دهد با تغییر فاز نسبی میدان های اعمال شده و فرکانس رابی میدان تزویج کننده تغییرات قابل ملاحظه ای در جذب و پاشندگی باریکه کاوشگر در چاه کوانتومی به وجود می آید. همچنین با اعمال دمش ناهمدوس جذب باریکه کاوشگر کاهش یافته و شیب پاشندگی تغییر می کند. با تغییر شیب پاشندگی، سرعت گروه نیز تغییر می کند. با تغییر پارامترهای کنترلی می توان فراسرعت نور را به فروسرعت نور و هم چنین بهره را به جذب و بالعکس تغییر داد. زمان های سوئیچ زنی لازم برای سوئیچ زنی سرعت گروه باریکه کاوشگر از فراسرعت نور به فروسرعت نور در چاه کوانتومی دوگانه نیز به دست آمده است. در نهایت از این محیط می توان برای ساخت سوئیچ نوری استفاده کرد که کاربردهای فراوانی در مخابرات نوری و محاسبات کوانتومی دارد.

منابع مشابه

وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی GaN/AlGaN به پهنای سد و چاه کوانتومی

Internal polarizations field which take place in quantum structures of group-III nitrides have an important consequence on their optical properties. Optical properties of wurtzite AlGaN/GaN quantum well (QW) structures grown by MBE and MOCVD on c-plane sapphire substrates have been investigated by means of photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) at low-temperature. PL ...

متن کامل

وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی gan/algan به پهنای سد و چاه کوانتومی

در این مقاله اثر پهنای سد و پهنای چاه کوانتومی gan/algan بر روی انرژی گذارهای اپتیکی و طیف فتولومینسانس آنها با استفاده از تکنیک فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیف فتولومینسانس این چاه های کوانتومی در دماهای پایین نشان می دهد که نحوه تغییرات انرژی گذار اپتیکی بر حسب پهنای سد در ساختارهای کوانتومی gan/algan بر خلاف آنچه که در سایر نیمرساناها از قبیل آلیاژهای gaas مشاهده شده, می ب...

متن کامل

پاشندگی امواج مغناطوآکوستیکی در یک پلاسمای کوانتومی

In this research, the dispersion properties of magneto-acoustic waves in a plasma in the presence of quantum effects are studied. For this purpose, we employ a system of quantum fluid equations and Maxwell equations to derive a generalized dispersion relation. Our analytical results show that the wave frequency is modified by quantum corrections. Also, numerical estimations reveal that the effe...

متن کامل

ذره در چاه کوانتومی با دیواره متحرک

We study the problem of a quantum particle in an infinite one dimensional potential well with a moving wall. Based on the effective Hamiltonian approach and using the gauge transformation concepts, we show that the effect of the moving wall appears as an extra phase factor in the wave function which depends on the velocity of the wall. 

متن کامل

رابطه‌ی پاشندگی امواج TMدر برهم‌کنش باریکه الکترونی نسبیتی با موج‌بر کانال یونی

در این مقاله برهم‌کنش باریکه­ی الکترونی نسبیتی در موج‌بر دی‌الکتریک استوانه‌ای که قسمتی از آن با کانال یونی پر شده مورد بررسی قرار گرفته است. با استفاده از معادلات ماکسول و در نظر گرفتن خودمیدان‌های الکتریکی و مغناطیسی ناشی از باریکه‌ی الکترونی رابطه‌ی پاشندگی امواج TM بدست آمده است و سپس با استفاده از حل عددی آن، نرخ رشد امواج انتشاری در موج‌بر تجزیه و تحلیل شده است.

متن کامل

طراحی و شبیه‌سازی سلول خورشیدی سه‌پیوندی بر مبنای چاه کوانتومی

In this paper, the purpose is to improve the efficiency of triple-junction solar cell by introducing quantum well into GaAs junction. Firstly, InGaP/GaAs/InGaAs triple-junctions solar cell has been simulated. Then, a multiple stepped quantum wells (MSQWs), in which InGaAs well is sandwiched by InGaAsP as stepped layer, and the barrier is GaAs, has been introduced into intrinsic region of single...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023